Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физическое материаловедение

Наносекундный импульсный отжиг кремния, имплантированного ионами магния

Н. Г. Галкин^ab, С. В. Ваванова^a, К. Н. Галкин^a, Р. И. Баталов^c, Р. М. Баязитов^c, В. И. Нуждин<sup>c

a</sup> Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток
^b Дальневосточный федеральный университет, 690900 Владивосток, Россия
^c Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН

Аннотация: Проведена имплантация ионов магния в монокристаллический кремний при комнатной температуре с последующим импульсным ионным отжигом. Изучены морфология поверхности, кристалличность и оптические свойства имплантированного кремния до и после импульсного отжига. Показано, что в результате ионной имплантации приповерхностная область кремния (до $\sim$ 0.1 $\mu$) становится аморфной. Наносекундный импульсный ионный отжиг приводит к рекристаллизации кремния и формированию кристаллических преципитатов силицида магния. Определены оптимальные условия (доза имплантации и плотность энергии импульса) для формирования преципитатов силицида магния в приповерхностном слое кремния.

Поступила в редакцию: 25.01.2012

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2013, 58:1, 94–99

Реферативные базы данных:

•