RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 12, страницы 149–151 (Mi jtf8295)

Краткие сообщения

Определение уровней прилипания в монокристаллах AgGaSe$_2$ методом термической очистки

Ф. И. Мамедов, С. М. Зарбалиева, Э. К. Гурбанова

Академия МЧС Азербайджанской Республики, AZ 1089 Баку, Азербайджан

Аннотация: На монокристаллах тройного соединения исследованы спектры термостимулированной проводимости в широкой области температур (100–400 K) и интенсивности электрического поля (5–300 V).
Методом термической очистки изолированны два уровня в запрещенной зоне монокристаллов и определена их энергия активации с 0.11 eV. Установлено, что наблюдение таких уровней с одинаковыми энергиями для разных образцов позволяет сделать вывод, что этот уровень характерен для исследуемых образцов и это результат повторного прилипания.

Поступила в редакцию: 16.01.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:12, 1885–1887

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026