М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, “Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 12,страницы 102

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Оптика

Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом

М. В. Дорохин^a, Е. И. Малышева^a, Б. Н. Звонков^a, А. В. Здоровейщев^a, Ю. А. Данилов^a, Д. Е. Николичев^b, А. В. Боряков^b, С. Ю. Зубков^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур" Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур GaMnAs/$n^{++}$GaAs/$n$-GaAs/InGaAs/$p$-GaAs. Зависимость степени циркулярной поляризации от магнитного поля может быть описана петлей гистерезиса, что связывается с инжекцией спин-поляризованных электронов из намагниченного GaMnAs. Эффект наблюдается в диапазоне температур 10–90 K.

Поступила в редакцию: 21.09.2013
Принята в печать: 08.04.2014