Т. С. Камилов, И. В. Эрнст, А. Ю. Самунин, “Особенности усиления и гашения фотопроводимости в гетероструктурах Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 12,страницы 96

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельная электроника

Особенности усиления и гашения фотопроводимости в гетероструктурах Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M

Т. С. Камилов^a, И. В. Эрнст^a, А. Ю. Самунин^b

^a Ташкентский государственный технический университет им. А. Р. Беруни, 700095 Ташкент, Узбекистан
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы особенности усиления и гашения фотопроводимости в гетероструктурах Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M. Показано, что при низких температурах высокоомная базовая область структур BCM-Si$\langle$Mn$\rangle$-ВСМ или BCM-Si$\langle$Mn$\rangle$-М при освещении собственным светом становится низкоомным проводящим слоем к переходной $i$-области структур.
Выяснен механизм усиления фотопроводимости (ФП) в гетероструктурах вызванной ударной ионизации в $i$-области. Дано объяснение резкому гашению ФП в области температур 180–220 K.

Поступила в редакцию: 19.12.2013
Принята в печать: 26.05.2014