Эта публикация цитируется в 5 статьях

Краткие сообщения

Оценка качества GaAs-подложек, используемых для изготовления силовых полупроводниковых приборов

И. Л. Шульпина^a, В. В. Ратников^a, В. А. Козлов^bc, Ф. Ю. Солдатенков^ac, В. Е. Войтович<sup>d

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b ЗАО НПО "Фид-Техника", Санкт-Петербург, Россия
^c ООО "Силовые Полупроводники", Санкт-Петербург, Россия
^d "Clifton AS", Тарту, Эстония

Аннотация: Методами рентгеновской топографии и высокоразрешающей дифрактометрии исследованы пластины GaAs от различных производителей, применяемые в качестве подложек для эпитаксиального роста при производстве силовых полупроводниковых приборов. Характерными особенностями пластин являются нарушенный поверхностный слой, изгиб и ростовые дислокации двух типов распределения с плотностью (1–2) $\cdot$ 10$^4$ cm$^{-2}$. Определены лучшая и худшая подложки по подготовке рабочей поверхности, а также оптимальное сочетание рентгеновских методов для оценки качества обработки поверхности кристаллов с высоким уровнем поглощения рентгеновских лучей.

Поступила в редакцию: 19.03.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:10, 1566–1569

Реферативные базы данных:

•