Эта публикация цитируется в 3 статьях

Краткие сообщения

Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене

З. З. Алисултанов^abc, Н. А. Мирзегасанова<sup>c

a</sup> Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
^c Дагестанский государственный университет, 367000 Махачкала, Россия

Аннотация: В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности полупроводника. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев запрещенной щели полупроводника термоэдс эпитаксиального графена возрастает более чем в 4 раза по сравнению с термоэдс вблизи точки Дирака. Приводится возможное объяснение этого эффекта.

Поступила в редакцию: 21.02.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:10, 1562–1565

Реферативные базы данных:

•