Е. В. Гущина, М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, E. Durğun Özben, И. В. Макаренко, А. Н. Титков, “Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика SmScO$_3$”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 10,страницы 122

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физическая электроника

Поведение локально инжектированных зарядов в нанотонких слоях high-k диэлектрика SmScO$_3$

Е. В. Гущина^a, М. С. Дунаевский^a, П. А. Алексеев^ab, E. Durğun Özben^c, И. В. Макаренко^a, А. Н. Титков^ab

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197376 Санкт-Петербург, Россия
^c Peter Grunberg Institute 9 (PGI-9-IT) and JARA-FIT, Research Center Julich, D-52425 Julich, Germany

Аннотация: Методом микроскопии Кельвин-зонд изучалось поведение зарядов, локально инжектированных из зонда атомно-силового микроскопа в нанотонкие пленки high-k диэлектрика SmScO$_3$, осажденные на подложку кремния. Предварительно пленки отжигались при разных температурах; выше 900$^\circ$С в аморфных пленках наблюдалось формирование поликристаллических включений. Для пленок, отожженных при 900$^\circ$C, наблюдалось длительное время сохранения инжектированного заряда, в десятки раз превышающее соответствующие времена для традиционных приборных диэлектриков SiO$_2$ и Si$_3$N$_4$. Также оказалась резко замедленной и диффузия носителей в плоскости диэлектрических слоев.

Поступила в редакцию: 15.01.2014