Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физическая электроника

Исследование углеводородной пленки, формирующейся на поверхности полупроводника под действием электронного пучка

А. Ю. Местер, А. Н. Трофимов, М. В. Заморянская, А. М. Дьяконов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены исследования скорости формирования углеводородной пленки на поверхности образцов под действием электронного пучка. Исследования проводились при комнатной температуре и при охлаждении образца до температуры жидкого азота. Проводились измерения толщины и пропускание оптического излучения пленок в зависимости от времени облучения образца электронным пучком, температуры образца и уровня вакуума. Измерение толщины образовавшихся пленок проводилось методом атомно-силовой микроскопии. Поглощение пленок определялось на основании сравнения интенсивности катодолюминесценции, полученной с “чистой” поверхности образца и с поверхности, на которой образовалась пленка. Проведенные измерения позволили оценить скорость образования пленки в зависимости от температуры образца и уровня вакуума и поглощение оптического излучения для длин волн 300, 360, 550 и 665 nm.

Поступила в редакцию: 27.12.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:10, 1536–1539

Реферативные базы данных:

•