Эта публикация цитируется в 1 статье

Физическая электроника

Автоэмиссионные диоды на основе гетеропереходов полупроводник–поликристаллический алмаз

В. А. Беспалов, Э. А. Ильичев, А. Е. Кулешов, Д. М. Мигунов, Р. М. Набиев, Г. Н. Петрухин, Г. С. Рычков, О. А. Сахаров, Ю. B. Щербахин

Национальный исследовательский университет "МИЭТ", 124460 Зеленоград, Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты комплексных электрофизических и технологических исследований твердотельных автоэмиссионных диодов, полевая эмиссия в которых осуществляется из массива наноразмерных объектов, расположенных на гетерогранице полупроводник-поликристаллический алмазный слой. В технологический маршрут изготовления твердотельных автоэмиссионных диодов в качестве базовых технологий получения приборных гетероструктур интегрированы технологии формирования массивов наноразмерных масок, технология формирования массивов наноразмерных конусов и технология плазмостимулированного роста поликристаллических алмазных пленок на поверхностях структур с сформированными массивами из наноразмерных конусов. В сформированных указанным образом автоэмиссионных диодах достигнуты плотности токов $\sim$ 20 A/cm$^2$ при пороговом напряжении автоэмиссии из массивов наноострий в алмаз $\sim$ 0.5V.

Поступила в редакцию: 30.07.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:10, 1531–1535

Реферативные базы данных:

•