Эта публикация цитируется в 15 статьях

Физическая электроника

Формирование наноразмерных пленок силицидов на поверхности Si(111) и Si(100) методом низкоэнергетической ионной имплантации

А. С. Рысбаев, Ж. Б. Хужаниязов, А. М. Рахимов, И. Р. Бекпулатов

Ташкентский государственный технический университет, 100011 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Методами электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов исследованы процессы формирования наноразмерных пленок силицидов при имплантации ионов В, Р, Ва и щелочных элементов в Si(111) и Si(100) и последующем термическом отжиге. Показано, что имплантация ионов с большой дозой $D >$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$ и кратковременный прогрев приводят к образованию тонких пленок силицидов с новыми поверхностными сверхструктурами: Si(111)–$(\sqrt{3}\times\sqrt{3})$R30$^\circ$–B, Si(100)-2 $\times$ 2Ba, Si(111)-1 $\times$ 1P и др.

Поступила в редакцию: 16.01.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:10, 1526–1530

Реферативные базы данных:

•