Особенности высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе кремниевого $p$–$n$-перехода с антиотражающим слоем пористого кремния
Аннотация:
Представлены результаты экспериментального исследования высокочастотной вольт-фарадной характеристики фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе $n^+$–$p$-перехода с тонкой пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Показано, что вольт-фарадная характеристика определяется поверхностной МДП-структурой, возникающей в результате формирования слоя пористого кремния методом анодного электрохимического травления. Определена эффективная толщина диэлектрического слоя поверхностной МДП-структуры, концентрация примеси в ее полупроводниковой области и плотность поверхностных состояний.
Полный текст:
PDF файл (116 kB)
