Д. Ю. Протасов, Н. Р. Вицина, Н. А. Валишева, Ф. Н. Дульцев, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 9,страницы 96

Твердое тело

Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N

Д. Ю. Протасов^a, Н. Р. Вицина^a, Н. А. Валишева^a, Ф. Н. Дульцев^a, Т. В. Малин^a, К. С. Журавлев^ab

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 633090 Новосибирск, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Изучено влияние материала маски для формирования мезо-структур на основе нитрида галлия для выбранного режима плазмохимического травления в среде BCl$_3$ : Ar : N$_2$. Показано, что двухслойная маска SiO$_2$/Cr, в которой толщина слоя хрома в 6–7 раз меньше заданной глубины травления, эффективно защищает поверхность и позволяет формировать структуры с гладкой поверхностью при травлении на глубину до 2.5 $\mu$m. Наклон боковых стенок при формировании маски методом прямой фотолитографии не превышает 10$^\circ$ и уменьшается при использовании для этой цели взрывной фотолитографии.

Поступила в редакцию: 28.11.2013