Эта публикация цитируется в 7 статьях

Краткие сообщения

Магнетронное осаждение тонких пленок Cu(200) на подложки Ni(200)/SiO$_2$/Si

А. С. Джумалиев, Ю. В. Никулин, Ю. А. Филимонов

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 410019 Саратов, Россия

Аннотация: Экспериментально показана возможность ориентированного роста тонких пленок меди с текстурой (200) на подложке SiO$_2$/Si методом магнетронного распыления в условиях среднего вакуума, когда в качестве ориентирующего подслоя выступает предварительно осажденная пленка никеля с текстурой (200).

Поступила в редакцию: 19.12.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:7, 1097–1100

Реферативные базы данных:

•