Эта публикация цитируется в 15 статьях

Краткие сообщения

Об условиях возникновения щели, наводимой полупроводниковой подложкой в плотности состояний эпитаксиального графена

С. Ю. Давыдов<sup>ab

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Для описания плотности состояний полупроводниковой подложки использована модель, отвечающая параболическому электронному спектру. В аналитической форме получены критерии возникновения щели/щелей в плотности состояний эпитаксиального графена и ее/их характеристики (ширина, расположение по отношению к запрещенной зоне подложки). Предложен способ экспериментальной проверки полученных результатов.

Поступила в редакцию: 22.08.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:4, 624–627

Реферативные базы данных:

•