С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева, “Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 4,страницы 80

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Твердотельная электроника

Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока

С. А. Фефелов^a, Л. П. Казакова^ab, С. А. Козюхин^c, К. Д. Цэндин^a, Д. Арсова^d, В. Памукчиева^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет имени С. М. Кирова, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Институт общей и неорганической химии им. Н. С. Курнакова РАН, 119991 Москва, Россия
^d Georgi Nadjakov Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia

Аннотация: Сравнены традиционно используемая для исследования электрических свойств стеклообразных полупроводников измерительная цепь с генератором напряжения и альтернативный вариант, использующий генератор тока. Использование генератора тока позволило получить результаты, более полно отражающие взаимосвязь между эффектом образования памяти и изменениями электрических параметров. Выделен новый электрический параметр – $U_{\mathrm{hold}}$ (напряжение поддержки), ранее не описанный в литературе. Установлена связь $U_{\mathrm{hold}}$ с процессом формирования памяти при фазовом переходе. Обнаружен эффект возникновения колебаний в режиме ограничения тока канала проводимости в пленке.

Поступила в редакцию: 28.05.2013