Эта публикация цитируется в 5 статьях

Твердое тело

Сопротивление канала импульсного электрического пробоя в ионных кристаллах

И. Ф. Пунанов^a, Р. В. Емлин^a, В. Д. Куликов^b, С. О. Чолах<sup>c

a</sup> Институт электрофизики УрО РАН, 620016 Екатеринбург, Россия
^b Томский сельскохозяйственный институт, 634009 Томск, Россия
^c Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Предложена методика оценки сопротивления канала электрического пробоя в ионных кристаллах. Методика основана на измерении скорости движения канала в образце при подключении балластного резистора в цепь игольчатого анода и использовании теоретической зависимости скорости движения канала от его проводимости. Сопротивление канала в KCl и KBr при напряжении 140 kV составляет соответственно $\approx$ 6.5 kOmega и $\approx$ 6.1 k$\Omega$. Показано, что данные сопротивления характеризуют газовую фазу. Обнаружена неоднородность сопротивления газовой фазы вдоль канала пробоя. Наибольшим сопротивлением обладает головная область длиной $\sim$ 1 mm. Сделан вывод, что головная область содержит кластеры вещества диэлектрика с их дальнейшим распадом на ионы металла и галогена. Время жизни кластеров $\sim$ 10$^{-9}$ s.

Поступила в редакцию: 18.02.2013
Принята в печать: 16.09.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:4, 503–507

Реферативные базы данных:

•