RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 2, страницы 92–97 (Mi jtf8009)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Оптика

Термолюминесценция анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия после высокодозного облучения наносекундными импульсами электронов

С. В. Никифоров, В. С. Кортов, С. В. Звонарев, Е. В. Моисейкин

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Исследовано влияние глубоких ловушек, заполняемых импульсным пучком электронов, на термолюминесценцию (ТЛ) дозиметрического пика при 450 K в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия. После заполнения глубоких ловушек дозиметрический пик ТЛ становится неэлементарным и характеризуется сложной зависимостью интенсивности ТЛ от температуры отжига кристаллов с чередующимися участками спада и роста. Проведен анализ влияния заселенности глубоких центров различной природы и энергетической глубины на изменение структуры дозиметрического ТЛ пика. Обосновано предположение, что в диапазонах температур 600–750 и 900–1000 K опустошаются преимущественно электронные ловушки, а при $T$ = 780–900 и свыше 1000 K – дырочные. Показана возможность использования ТЛ глубоких ловушек для высокодозной дозиметрии импульсных пучков электронов.

Поступила в редакцию: 27.03.2013


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2014, 59:2, 245–249

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026