Р. Х. Акчурин, Л. Б. Берлинер, И. А. Богинская, Е. Г. Гордеев, Е. В. Егорова, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, М. А. Сурнина, “Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии”, ЖТФ, 2014, том 84, выпуск 1,страницы 79

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердотельная электроника

Исследование условий формирования массивов квантовых точек капельным методом в системе InAs/GaAs при МОС-гидридной эпитаксии

Р. Х. Акчурин^a, Л. Б. Берлинер^a, И. А. Богинская^a, Е. Г. Гордеев^a, Е. В. Егорова^a, А. А. Мармалюк^b, М. А. Ладугин^b, М. А. Сурнина^a

^a Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова, 119573 Москва, Россия
^b ООО "Сигм Плюс", 117342 Москва, Россия

Аннотация: Исследованы условия первого этапа формирования гетероструктур InAs/GaAs с массивами квантовых точек капельным методом. Проанализирован ряд факторов, влияющих на геометрические размеры и плотность массива наноразмерных индиевых капель, осаждаемых на подложку GaAs (100) в результате пиролиза триметилиндия, проведены экспериментальные исследования возможности использования этих факторов в условиях МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ). С целью уточнения температурной зависимости скорости испарения In проведен вычислительный эксперимент с учетом условий МОСГЭ, приближенных к реальным. Произведена расчетная оценка предельного изменения состава капель In при высокотемпературном контакте с подложкой, а также оценены толщина и состав кристаллизующегося твердого раствора в системе In–Ga–As. Показана существенная роль кристаллохимического строения поверхности подложки и технологических условий процесса осаждения на размеры и плотность массива осаждаемых капель.

Поступила в редакцию: 09.01.2013