Эта публикация цитируется в 2 статьях

Твердое тело

Моделирование гистерезисных кривых кристаллических сегнетоэлектриков с помощью параметров управляющего электрического поля

А. Ю. Захаров, М. И. Бичурин

Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого, 173003 Великий Новгород, Россия

Аннотация: Предложено описание процессов переключения в кристаллических сегнетоэлектриках с учетом воздействия переменного внешнего электрического поля на основе уравнений релаксационных процессов. Предположено, что вероятность переключения доменов зависит не только от мгновенного значения управляющего поля, но и от скорости его изменения. Зависимость управляющего поля от времени задается произвольной периодической функцией. Получены уравнения процессов переключения доменов в сегнетоэлектрике и найдены точные аналитические решения этих уравнений. На основе полученных решений выполнено численное исследование связи между частотой синусоидального внешнего поля и формой гистерезисных кривых. Показано, что учет зависимости времени релаксации от скорости изменения управляющего поля позволяет существенно улучшить согласие результатов моделирования гистерезисных кривых сегнетоэлектриков с экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 26.11.2014
Принята в печать: 07.04.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2015, 60:12, 1803–1808

Реферативные базы данных:

•