Эта публикация цитируется в 14 статьях

Краткие сообщения

Электронная структура наноразмерных структур Ga$_{1-x}$Al$_x$As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации

С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова

Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Исследованы морфология и электронные свойства поверхности нанокристаллических фаз и нанопленок Ga$_{1-x}$Al$_x$As с толщиной 2.0 – 7.0 nm, созданных на поверхности GaAs (111), имплантированных ионами Al$^+$ в сочетании с отжигом (лазерный + температурный). Показано, что ширина запрещенной зоны $E_g$ нанокристаллической фазы Ga$_{0.5}$Al$_{0.5}$As с поверхностными размерами 25 – 30 nm составляет 2.8 – 2.9 eV.

Поступила в редакцию: 13.01.2015

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2015, 60:10, 1563–1566

Реферативные базы данных:

•