А. А. Алексеев, Д. А. Олянич, Т. В. Утас, В. Г. Котляр, А. В. Зотов, А. А. Саранин, “СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi$_2$(111), выращенных при высокой температуре”, ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 10,страницы 94

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Физика низкоразмерных структур

СТМ-наблюдение сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi$_2$(111), выращенных при высокой температуре

А. А. Алексеев^a, Д. А. Олянич^ab, Т. В. Утас^a, В. Г. Котляр^ab, А. В. Зотов^abc, А. А. Саранин^ab

^a Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, 690041 Владивосток, Россия
^b Школа естественных наук, Дальневосточный федеральный университет, 690950 Владивосток, Россия
^c Владивостокский государственный университет экономики и сервиса, 690600 Владивосток, Россия

Аннотация: С помощью сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) изучены основные закономерности роста сверхтонких эпитаксиальных пленок CoSi$_2$(111) с покрытием Co до 4 ML, полученных при последовательном осаждении атомов Co и Si в стехиометрическом соотношении на поверхность Co–Si(111) при комнатной температуре и последующем отжиге при 600–700$^\circ$C. При покрытии атомов Co ниже $\sim$ 2.7 ML наблюдается рост плоских островков CoSi$_2$ высотой до $\sim$ 3 nm с поверхностной структурой 2 $\times$ 2 или 1 $\times$ 1. Показано, что формирование сплошных эпитаксиальных пленок CoSi$_2$, в состав которых входит 3–4 тройных слоя Si–Co–Si, происходит при условии точного контроля осаждения. Пленки CoSi$_2$ могут содержать включения локальных участков с реконструкцией (2 $\times$ 1)Si. При температуре выше 700$^\circ$C происходит рост многоуровневой пленки CoSi$_2$ с точечными проколами (pinholes) вследствие вертикального роста из-за разницы свободных энергий поверхностей CoSi$_2$(111) и Si(111). Согласно теоретическим расчетам, наиболее выгодными структурами интерфейса CoSi$_2$(111)2 $\times$ 2 являются структуры A- и B-типа с координационным числом атомов Co, равным 8.

Поступила в редакцию: 22.12.2014