Аннотация:
Задача о распределении потенциала и плотности поверхностного заряда в тонком слое, содержащем квазидвумерный $p$–$n$-переход, сведена к решению интегрального уравнения. Реализовано численное решение такого уравнения для несимметричного двумерного $p$–$n$-перехода в условиях сильного вырождения и квазиравновесия. Использованы граничные условия на линиях пересечения уровня Ферми и порогов подзон размерного квантования. Проанализирована зависимость ширины области обеднения от концентраций примесей и напряжения смещения.