RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 10, страницы 80–86 (Mi jtf7909)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика низкоразмерных структур

Электрическое поле и плотность заряда в плоскости квазиравновесного несимметричного двумерного $p$$n$-перехода без тока

Ю. Г. Пейсахович, А. А. Штыгашев, Л. А. Борыняк, Н. Ю. Петров

Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия

Аннотация: Задача о распределении потенциала и плотности поверхностного заряда в тонком слое, содержащем квазидвумерный $p$$n$-переход, сведена к решению интегрального уравнения. Реализовано численное решение такого уравнения для несимметричного двумерного $p$$n$-перехода в условиях сильного вырождения и квазиравновесия. Использованы граничные условия на линиях пересечения уровня Ферми и порогов подзон размерного квантования. Проанализирована зависимость ширины области обеднения от концентраций примесей и напряжения смещения.

Поступила в редакцию: 27.10.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2015, 60:10, 1494–1500

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026