М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, Ю. В. Кожанова, “Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm”, ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 9,страницы 97

Физика низкоразмерных структур

Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm

М. М. Мездрогина^a, Е. И. Теруков^a, И. Н. Трапезникова^a, Ю. В. Кожанова^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Появление фотоиндуцированных дефектов в пленках $a$-Si : H связано с увеличением плотности состояний в середине запрещенной зоны вследствие конверсии слабых, напряженных связей кремния с водородом (Si : H) в оборванные Si–Si-связи, с наличием пространственно разделенных областей с различной концентрацией и типами связей Si–H. В структурах с квантовыми ямами (MQW) на основе InGaN/GaN, легированных РЗИ, фотоиндуцированные дефекты появляются в результате увеличения интенсивности возбуждения при измерениях спектров микрофотолюминесценции, что является причиной реализации сложного пространственного рельефа случайного потенциала в основном в латеральной плоскости, вследствие чего возможно появление кластеров с отличающимся от среднего составом In вплоть до разделения фаз InN и GaN.

Поступила в редакцию: 22.04.2014
Принята в печать: 22.10.2014