Ф. Ф. Комаров, Г. А. Исмайлова, О. В. Мильчанин, И. Н. Пархоменко, Ф. Б. Жусипбекова, Г. Ш. Яр-Мухамедова, “Влияние режимов термообработки на структуру и оптические свойства кристаллического кремния с нанокристаллами GaSb, сформированными высокодозной ионной имплантацией”, ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 9,страницы 91

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Твердотельная электроника

Влияние режимов термообработки на структуру и оптические свойства кристаллического кремния с нанокристаллами GaSb, сформированными высокодозной ионной имплантацией

Ф. Ф. Комаров^a, Г. А. Исмайлова^b, О. В. Мильчанин^a, И. Н. Пархоменко^a, Ф. Б. Жусипбекова^b, Г. Ш. Яр-Мухамедова^b

^a Белорусский государственный университет, 220045 Минск, Белоруссия
^b Казахский национальный университет им. аль-Фараби, 050038 Алматы, Казахстан

Аннотация: Методами Резерфордовского обратного рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) исследованы распределение внедренных примесей и структура нанокомпозитов “GaSb+Si” в зависимости от режимов ионной имплантации и проведенных термообработок. Показано, что “горячая” имплантация и отжиг приводят к заметным потерям примеси и сдвигу максимумов концентраций внедренных атомов к поверхности. Данные ПЭМ подтвердили формирование нанокристаллов размером от 20 до 100 nm, а также дефектов дислокационного типа и остаточных механических напряжений. С использованием метода спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) проведены исследования структуры и фазового состава экспериментальных образцов кремния, содержащих различные нанокристаллические включения.

Поступила в редакцию: 24.10.2014
Принята в печать: 26.02.2015