Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электрофизика, электронные и ионные пучки, физика ускорителей

Моделирование морфологии поверхности при низкоэнергетическом ионном распылении

А. С. Шумилов, И. И. Амиров

Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, 150007 Ярославль, Россия

Аннотация: Представлен новый двумерный метод моделирования морфологии поверхности материалов в процессах низкоэнергетического ионного распыления с учетом процесса переосаждения распыляемого материала. Проведено моделирование изменения профиля микроканавок в кремнии при распылении их ионами аргона низкой энергии плотной плазмы ВЧ индукционного разряда. Результаты численного моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментом.

Поступила в редакцию: 29.11.2013

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2015, 60:7, 1056–1062

Реферативные базы данных:

•