М. С. Дунаевский, П. А. Алексеев, П. А. Дементьев, Е. В. Гущина, В. Л. Берковиц, E. Lahderanta, А. Н. Титков, “Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO$_2$ с помощью электростатической силовой микроскопии”, ЖТФ, 2015, том 85, выпуск 5,страницы 50

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физическое материаловедение

Создание устойчивых зарядовых областей в массиве Ge-нанокристаллитов внутри SiO$_2$ с помощью электростатической силовой микроскопии

М. С. Дунаевский^a, П. А. Алексеев^a, П. А. Дементьев^a, Е. В. Гущина^a, В. Л. Берковиц^a, E. Lahderanta^b, А. Н. Титков^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, FI-53851, Finland

Аннотация: Исследованы Ge-нанокристаллиты, получаемые внутри SiO$_2$ методом ионной имплантации с последующим высокотемпературным отжигом. С помощью сканирующей зондовой микроскопии выполнена локальная зарядка Ge-нанокристаллитов, находящихся внутри тонкого (30 nm) термического окисла SiO$_2$, с последующей визуализацией и анализом получаемых зарядовых областей. Показана возможность создания под зондом атомно-силового микроскопа устойчивых во времени зарядовых областей диаметром до 30 nm, состоящих из нескольких заряженных Ge-нанокристаллитов. Кроме того, показано, что способность слоя Ge-нанокристаллитов удерживать внесенный заряд оказывается чрезвычайно чувствительной к расстоянию между соседними Ge-нанокристаллитами и наличию дефектных центров в SiO$_2$. Последнее обстоятельство объясняется тем, что уход зарядов из Ge-нанокристаллитов происходит либо путем туннелирования между соседними нанокристаллитами, либо путем туннелирования через дефектные центры в SiO$_2$.

Поступила в редакцию: 10.06.2014