Аннотация:
Приведены результаты по изучению состава, кристаллической структуры и профилей распределения атомов по глубине свободной пленки Cu (100) с поверхностной нанопленкой Si различной толщины. Показано, что при толщине кремниевой пленки $d_{\mathrm{Si}}$ = 5.0 nm атомы кремния и меди образуют соединение типа Cu$_x$Si$_y$. С ростом толщины ($d_{\mathrm{Si}}>$ 5.0 nm) на поверхности силицида формируется пленка кремния. После прогрева на границе Si/Cu образуется переходной слой силицида Cu$_2$Si$_3$ толщиной $d$ = 8.0–10.0 nm.
Полный текст:
PDF файл (309 kB)
