Эта публикация цитируется в 1 статье

Плазма

Исследование механизма взаимодействия направленного потока отрицательных частиц газоразрядной плазмы с поверхностью расплава никеля

В. А. Колпаков^a, В. В. Подлипнов<sup>ab

a</sup> Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва, 443086 Самара, Россия
^b Институт систем обработки изображений РАН, 443001 Самара, Россия

Аннотация: Установлено, что при облучении поверхности расплава никеля структуры никель–кремний отрицательными частицами и электронами газоразрядной плазмы с энергией до 6 keV в приповерхностной области жидкой фазы металла в направлении нормали к поверхности полупроводника возникает градиент пустот атомного размера, называемых “вакансиями”. Приведены аналитические и экспериментальные исследования механизма образования “вакансий” и механизма формирования ими направленного потока кремния в направлении поверхности расплава. Показано, что в процессе диффузии атомов полупроводника в расплаве происходит экстракция примесных атомов, служащих рекомбинационными центрами, что значительно повысило пробивное напряжение полупроводниковых диодов.

Поступила в редакцию: 27.03.2014

 Англоязычная версия: Technical Physics, 2015, 60:1, 53–56

Реферативные базы данных:

•