Аннотация:
Применительно к начальному времени срока активного существования космического аппарата экспериментально исследованы процессы аномальной деградации мощности солнечных InGaP/GaAs/Ge-фотоэлементов при стендовых испытаниях на воздействие геомагнитной плазмы путем моделирования электронной компоненты плазмы с учетом периодического пересечении орбитой космического аппарата радиационного пояса Земли, включая авроральную зону. Методами видеорегистрации электролюминесценции и измерения темновых вольт-амперных характеристик в стендовых условиях, а также методами микроскопии, абсолютной спектрометрии электролюминесценции и темновых вольт-амперных характеристик после окончания стендовых испытаний установлены процессы аномальной деградации фотоэлементов, происходящие с участием технологических микродефектов поверхности и микропробоев покровных стекол К-208. Предложен феноменологический ударный механизм аномальной ускоренной деградации мощности фотоэлементов на начальном этапе существования космического аппарата. Наиболее высокая скорость аномальной деградации мощности наблюдается для фотоэлементов, имеющих технологические дефекты $p$–$n$-переходов.