RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2025, том 95, выпуск 7, страницы 1392–1403 (Mi jtf7622)

Твердотельная электроника

Механизм локальных повреждений фотоэлементов электронами геомагнитной плазмы

В. М. Зыков, К. Е. Евдокимов, Д. А. Нейман, А. М. Владимиров, Г. А. Воронова

Национальный исследовательский Томский политехнический университет, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Применительно к начальному времени срока активного существования космического аппарата экспериментально исследованы процессы аномальной деградации мощности солнечных InGaP/GaAs/Ge-фотоэлементов при стендовых испытаниях на воздействие геомагнитной плазмы путем моделирования электронной компоненты плазмы с учетом периодического пересечении орбитой космического аппарата радиационного пояса Земли, включая авроральную зону. Методами видеорегистрации электролюминесценции и измерения темновых вольт-амперных характеристик в стендовых условиях, а также методами микроскопии, абсолютной спектрометрии электролюминесценции и темновых вольт-амперных характеристик после окончания стендовых испытаний установлены процессы аномальной деградации фотоэлементов, происходящие с участием технологических микродефектов поверхности и микропробоев покровных стекол К-208. Предложен феноменологический ударный механизм аномальной ускоренной деградации мощности фотоэлементов на начальном этапе существования космического аппарата. Наиболее высокая скорость аномальной деградации мощности наблюдается для фотоэлементов, имеющих технологические дефекты $p$$n$-переходов.

Ключевые слова: солнечные батареи космических аппаратов, геомагнитная плазма, анодно-инициируемый поверхностный разряд, объемный микропробой диэлектрика, повреждение фотопреобразователя.

Поступила в редакцию: 19.07.2024
Исправленный вариант: 28.12.2024
Принята в печать: 10.03.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.07.60662.236-24



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026