Твердотельная электроника

Люминесцентные центры в кремнии, облученном фемтосекундным лазером

А. Е. Калядин^a, Д. С. Поляков^b, В. П. Вейко^b, Н. А. Соболев<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Национальный исследовательский университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследована фотолюминесценция в кремнии, выращенном методом Чохральского и облученном фемтосекундным титан-сапфировым лазером с длиной волны 780 nm. В спектрах наблюдалось образование широкой полосы в области 1.15–1.6 $\mu$m, узких W-, H- и P-линий, а также линии краевой люминесценции. Исследовано влияние температуры измерения люминесценции, длины волны и мощности возбуждающего лазера на эти спектры. Определены энергии активации температурного гашения интенсивности люминесценции и эффективности возбуждения W-, H- и P-линий. С увеличением мощности накачки интегральная интенсивность широкой полосы возрастает, а интегральная интенсивность линии краевой люминесценции уменьшается.

Ключевые слова: кремний, фемтосекундный лазер, точечные дефекты, энергия активации температурного гашения люминесценции, эффективность возбуждения люминесценции.

Поступила в редакцию: 06.11.2024
Исправленный вариант: 10.02.2025
Принята в печать: 20.02.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.06.60466.408-24

Реферативные базы данных:

•