Аннотация:
Проведено комплексное математическое моделирование процессов образования радиационных дефектов при облучении 4H-SiC ионами Ar. Ультрафиолетовые фотодетекторы на основе барьеров Шоттки Cr/4H-SiC с концентрацией носителей заряда 3 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-3}$ в CVD-слое толщиной 5 $\mu$m облучались 7 раз ионами Ar флюенсом 1 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$ (общий флюенс – 7 $\cdot$ 10$^{10}$ cm$^{-2}$) с энергией 53 МeV. На основе результатов измерения внешней квантовой эффективности фотодетекторов при разных флюенсах облучения ионами Ar и моделирования процессов облучения в SRIM/TRIM показано, в каком диапазоне значений должна быть концентрация радиационных дефектов при облучении, чтобы произошло заметное снижение квантовой эффективности вплоть до его полной деградации при предельных флюенсах. Для указанной концентрации носителей заряда впервые экспериментально определен предельный флюенс ионов Ar, приводящий к полной деградации Cr/4H-SiC фотоприемников. В результате моделирования впервые определено соотношение вакансий кремния и углерода по глубине тормозного пути ионов Ar.
Полный текст:
PDF файл (634 kB)