Твердотельная электроника

Диоды Шоттки на основе монокристаллических гетероструктур Al/AlGaN/GaN для микроволнового детектирования с нулевым смещением

Н. В. Востоков, М. Н. Дроздов, М. А. Калинников, С. А. Краев, Д. Н. Лобанов, П. А. Юнин

Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследованы микроволновые свойства новых полностью монокристаллических низкобарьерных диодов Шоттки Al/AlGaN/GaN с приповерхностным поляризационно-индуцированным $\delta$-легированием. Использована оригинальная методика микроволновых измерений тестовых структур на ростовой пластине. Продемонстрирована возможность создания высокочувствительного, работающего без постоянного смещения микроволнового детектора на основе планарной низкобарьерной гетероструктуры металл–полупроводник–металл, не требующего формирования омического контакта полупроводника с металлом. Оценки показали, что критическая частота такого детектора может достигать величины около 100 GHz для актуальных значений площади детектирующего контакта $\sim$10 $\mu$m$^2$.

Ключевые слова: низкобарьерный GaN-диод Шоттки, микроволновые измерения на пластине, структурные дефекты и ловушки в полупроводнике, микроволновый детектор, работающий без постоянного смещения.

Поступила в редакцию: 27.04.2024
Исправленный вариант: 30.12.2024
Принята в печать: 11.02.2025

DOI: 10.61011/JTF.2025.06.60464.151-24

Реферативные базы данных:

•