Специальный выпуск по материалам Международной конференции "Наноуглерод и Алмаз" (НиА'2024)
Твердотельная электроника

CVD-алмазные структуры с $p$–$n$-переходом — диоды и транзисторы

М. А. Лобаев, Д. Б. Радищев, А. Л. Вихарев, А. М. Горбачев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, С. А. Краев, А. И. Охапкин, Е. А. Архипова, П. А. Юнин, Н. В. Востоков, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов

Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Исследовано легирование алмаза бором и фосфором в плазмохимическом реакторе с ламинарным потоком газа. Получены слои алмаза, сильнолегированные бором и фосфором. Слои обладали низким удельным сопротивлением при высоком кристаллическом совершенстве. На основе таких слоев созданы структуры для формирования электронных приборов на алмазе. Исследовано несколько видов алмазных приборов: диод Шоттки, $pn$-диод Шоттки, $p$–$i$–$n$-диод и полевой транзистор. Получены высокие значения пробойных полей и плотностей тока в исследованных приборах.

Ключевые слова: CVD-алмаз, алмазные структуры, диод Шоттки, $p$–$i$–$n$-диод, полевой транзистор.

Поступила в редакцию: 09.10.2024
Исправленный вариант: 09.10.2024
Принята в печать: 09.10.2024

DOI: 10.61011/JTF.2025.03.59860.288-24

Реферативные базы данных:

•