Аннотация:
Рентгеновская топография представляет собой группу методов, предназначенных для получения дифракционных изображений структурных дефектов в кристаллах. Среди них выделяют секционные методы, позволяющие получать количественную информацию о дефектах на основе анализа их изображений. С этой целью разрабатываются специальные приложения динамической теории дифракции рентгеновских лучей. Секционные методы основаны на интерференции волновых полей, возбуждаемых в кристалле рентгеновским пучком. Их чувствительность к слабым нарушениям кристаллической решетки намного выше, чем у других рентгеновских методов. Описаны физические основы и условия реализации секционных методов, а также методы и результаты моделирования волнового поля в кристалле. Показаны примеры решения прикладных задач материаловедения и микроэлектроники. Кратко изложено применение секционных методов с использованием синхротронного излучения.