Эта публикация цитируется в 1 статье

XXVI Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14-17 марта 2022 г.
Физические приборы и методы эксперимента

Методика получения атомарно гладких подложек из монокристаллического кремния методом механического притира

Н. И. Чхало^a, А. А. Ахсахалян^a, М. В. Зорина^a, М. Н. Торопов^a, Ю. М. Токунов<sup>b

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, 607680 Нижний Новгород, Россия
^b Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), 141701 Долгопрудный, Московская обл., Россия

Аннотация: Cообщено о разработанной методике полировки подложек из монокристаллического кремния с использованием механического притира. Получена эффективная шероховатость подложки в диапазоне пространственных частот 0.025–65 $\mu$m$^{-1}$ на уровне 0.37 и 0.18 nm на размере кадра на поверхности 40 $\times$ 40 и 2 $\times$ 2 $\mu$m$^2$, соответственно. Полученный результат сопоставим с результатами химико-механической и динамической полировки пластин из монокристаллического кремния для микроэлектроники.

Ключевые слова: поверхность, шероховатость, синхротронное излучение, полировка.

Поступила в редакцию: 22.04.2022
Исправленный вариант: 22.04.2022
Принята в печать: 22.04.2022

DOI: 10.21883/JTF.2022.08.52795.103-22

Реферативные базы данных:

•