Эта публикация цитируется в 2 статьях

XXVI Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14-17 марта 2022 г.
Фотоника

Оптимизация технологии изготовления дифракционных Si-решеток треугольного профиля для мягкого рентгеновского и экстремального ультрафиолетового излучения

Д. В. Мохов^a, Т. Н. Березовская^a, К. Ю. Шубина^a, Е. В. Пирогов^a, А. В. Нащекин^b, В. А. Шаров^ab, Л. И. Горай<sup>ac

a</sup> Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Институт аналитического приборостроения РАН, 190103 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Жидкостным анизотропным травлением вицинальных пластин монокристаллического кремния (111)4$^\circ$ получены высокоэффективные дифракционные решетки с блеском, работающие в мягком рентгеновском и экстремальном ультрафиолетовом излучении. Представлена усовершенствованная экспериментальная технология изготовления Si-решеток треугольного профиля как среднечастотных (250 и 500 mm$^{-1}$), так и высокочастотной 2500 mm$^{-1}$. Оптимизированы стадии получения Cr-маски для травления канавок, удаления Si-выступов с целью сглаживания профиля, полирования поверхности для уменьшения наношероховатости. Описан способ получения сглаженного треугольного профиля Si-решетки и полированной поверхности штрихов путем жидкостного травления одновременно в одном процессе.

Ключевые слова: дифракционная решетка, жидкостное травление Si, треугольный профиль штрихов, АСМ, РЭМ.

Поступила в редакцию: 01.04.2022
Исправленный вариант: 01.04.2022
Принята в печать: 01.04.2022

DOI: 10.21883/JTF.2022.08.52782.74-22

Реферативные базы данных:

•