XXVI Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14-17 марта 2022 г.
Твердотельная электроника

Локальное анодное окисление кремния для создания кроссбар-архитектуры

В. В. Полякова, А. В. Саенко

Южный федеральный университет, 344006 Ростов-на-Дону, Россия

Аннотация: Показана возможность формирования нейроматрицы в виде кроссбар-архитектуры на кремниевой подложке. Кроссбар-архитектуру в виде набора перпендикулярно расположенных друг к другу наноразмерных проводников, между которыми находится слой оксида титана, способный менять свою проводимость под действием приложенного напряжения, предложено формировать с использованием метода локального анодного окисления. Представлены результаты исследования технологических параметров метода локального анодного окисления кремния и титана для реализации элементов данной нейроматрицы в виде мемристорной структуры.

Ключевые слова: кремний, титан, локальное анодное окисление, нейроматрица, кроссбар.

Поступила в редакцию: 28.04.2022
Исправленный вариант: 28.04.2022
Принята в печать: 28.04.2022

DOI: 10.21883/JTF.2022.08.52777.105-22

Реферативные базы данных:

•