RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2022, том 92, выпуск 8, страницы 1099–1103 (Mi jtf7401)

XXVI Международный симпозиум " Нанофизика и наноэлектроника" , Н. Новгород, 14-17 марта 2022 г.
Теоретическая и математическая физика

Ионно-лучевая литография: моделирование и аналитическое описание поглощенной в резисте энергии

Я. Л. Шабельникова, С. И. Зайцев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия

Аннотация: Для ионов из ряда инертных газов, а также галлия проведено моделирование поглощенной в резисте энергии. Показано, что распределение плотности энергии может быть аппроксимировано произведением двух гауссовых функций. Одна из них описывает радиальное распределение энергии, вторая – зависимость по глубине. Ширины и центры этих гауссовых функций определяются энергетической длиной (также упоминаемой в литературе как “глубина проникновения” или “средняя длина траекторий”), массой ионов и средним атомным номером резиста. Полученное описание позволит делать оценки размеров области модификации резиста для любых ионов с энергией десятки килоэлектронвольт и может быть использовано для априорных оценок разрешения и производительности, а также выбора на основании этого энергии пучка и типа иона.

Ключевые слова: литография, наноструктурирование, ионный пучок, резист, моделирование, поглощенная энергия.

Поступила в редакцию: 25.04.2022
Исправленный вариант: 25.04.2022
Принята в печать: 25.04.2022

DOI: 10.21883/JTF.2022.08.52768.104-22



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026