RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2022, том 92, выпуск 5, страницы 724–730 (Mi jtf7350)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Твердотельная электроника

Циркулярно-поляризованная электролюминесценция спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/CoPt, помещенных в сильное и слабое магнитное поле

М. В. Дорохинa, П. Б. Деминаa, А. В. Здоровейщевa, С. В. Зайцевb, А. В. Кудринa

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия

Аннотация: Выполнено сравнительное исследование магнитополевых зависимостей степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов на основе полупроводниковых InGaAs/GaAs-гетероструктур с магнитным CoPt-контактом и контрольных немагнитных структур с Au-контактом. В слабом магнитном поле зависимость степени циркулярной поляризации электролюминесценции от магнитного поля подобна магнитополевой зависимости намагниченности: описывает петлю гистерезиса с насыщением в поле $\sim$0.3 T. В сильном магнитном поле зарегистрировано дополнительное линейное по полю повышение степени циркулярной поляризации, связанное с зеемановским расщеплением уровней энергии. Величина линейного вклада зависит от положения квантовой ямы относительно границы ферромагнетик/полупроводник. Полученная зависимость связывается с влиянием магнитного поля неоднородно намагниченного CoPt-электрода на время спиновой релаксации носителей.

Ключевые слова: спиновая инжекция, квантовая яма, зеемановское расщепление.

Поступила в редакцию: 30.11.2021
Исправленный вариант: 25.02.2022
Принята в печать: 25.02.2022

DOI: 10.21883/JTF.2022.05.52377.302-21



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026