Эта публикация цитируется в 1 статье

Физическое материаловедение

Морфология поверхности полуполярных GaN-слоев при эпитаксии на наноструктурированной подложке Si

В. Н. Бессолов^a, Е. В. Коненкова^a, Т. А. Орлова^a, С. Н. Родин^a, А. В. Соломникова<sup>b

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Изучена морфология поверхности слоев полуполярного нитрида галлия, синтезированных на наноструктурированных подложках Si(100) либо Si(113) соответственно с $V$-образным либо $U$-образным профилем поверхности. Морфология поверхности полуполярных слоев свидетельствует, что разное отношение высоты к ширине (аспектное соотношение) блоков GaN(11-22) и GaN(10-11) связано с более высокой скоростью роста грани GaN(11-22), чем GaN(10-11) и разными скоростями роста полуполярной и полярной граней кристалла при зарождении слоя на наноструктурированной подложке.

Ключевые слова: морфология поверхности, полуполярный нитрид галлия, наноструктурированная подложка кремния.

Поступила в редакцию: 12.01.2022
Исправленный вариант: 21.02.2022
Принята в печать: 21.02.2022

DOI: 10.21883/JTF.2022.05.52376.12-22

Реферативные базы данных:

•