Твердотельная электроника

Деградация ультрафиолетовых светодиодов с квантовыми ямами InGaN/GaN, вызванная кратковременными воздействиями током

А. М. Иванов, А. В. Клочков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведен сравнительный анализ начальных стадий деградации ультрафиолетовых и синих светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN. В режиме ускоренного старения структуры подверглись кратковременному последовательному воздействию токами 80–190 mА при прямом смещении. Время воздействия не превышало трех часов. Наблюдался рост (до 20%) внешней квантовой эффективности. Представлены наиболее вероятные физические механизмы, объясняющие изменения в InGaN/GaN-светодиодах и намечены возможные пути замедления старения ультрафиолетовых светодиодов.

Ключевые слова: деградация ультрафиолетовых светодиодов, возрастание квантовой эффективности, замедление старения.

Поступила в редакцию: 04.08.2021
Исправленный вариант: 16.11.2021
Принята в печать: 16.11.2021

DOI: 10.21883/jtf.2022.02.52019.229-21

Реферативные базы данных:

•