Физические приборы и методы эксперимента

Рентгеновский детектор на основе CdZnTe в режиме поперечной и продольной фотопроводимости

Ю. М. Дикаев, А. А. Кудряшов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязинский филиал, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия

Аннотация: Рассмотрены режимы поперечной и продольной относительно направления излучения фотопроводимости в полупроводниковых детекторах на основе CdZnTe. В расчетах внутренняя область детектора представлена в виде параллельных слоев поглощения излучения. Проведено сравнение расчетов с экспериментально измеренными фототоками детектора с поперечным сечением 2 $\times$ 2 mm в зависимости от направления облучения его рентгеновскими лучами. Из соотношений фототоков в диапазоне энергий рентгеновского излучения 35–72 keV определен линейный коэффициент поглощения CdZnTe-детектора.

Ключевые слова: детектор CdZnTe, эффективная энергия, рентгеновское излучение, сопротивление, фототок, фотопроводимость.

Поступила в редакцию: 10.06.2021
Исправленный вариант: 20.07.2021
Принята в печать: 30.07.2021

DOI: 10.21883/JTF.2022.01.51865.46-21

Реферативные базы данных:

•