Аннотация:
Проведены исследования и разработки постростовых технологий изготовления каскадных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge. Рассмотрены этапы формирования антиотражающего покрытия, омических контактов и разделительной меза-структуры. Исследована технология травления контактного слоя $n^+$-GaAs с использованием методов плазмохимического, жидкостного химического и ионно-лучевого травления. Коэффициент отражения излучения от поверхности гетероструктуры с антиотражающим покрытием TiO$_x$/SiO$_2$ (при $x$, близком к 2) составил менее 3% в диапазоне длин волн 450–850 nm. Величина контактного переходного сопротивления омических контактов $n$- и $p$-типов проводимости составила 3$\cdot$10$^{-5}$–3$\cdot$10$^{-6}$$\Omega$cm$^2$, достигнуто снижение степени затенения фоточувствительной области при увеличенной проводимости контактных шин. Снижены токи утечки по поверхности мезаструктуры до величин 10$^{-9}$ A при напряжении менее 1 V.
Полный текст:
PDF файл (1381 kB)