Физическая электроника

Изменения текстуры и удельного сопротивления пленок Ti под действием ионной бомбардировки

Р. В. Селюков^a, И. И. Амиров^a, М. О. Изюмов^a, В. В. Наумов^a, Л. А. Мазалецкий<sup>b

a</sup> Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН, 150007 Ярославль, Россия
^b Ярославский государственный университет им. П. Г. Демидова, 150007 Ярославль, Россия

Аннотация: Исследованы кристаллическая текстура, микроструктура и удельное сопротивление пленок Ti толщиной 12–41 nm, подвергшихся ионной бомбардировке в аргоновой плазме при приложении к ним постоянного отрицательного смещения 20–30 V. Найдено, что такая обработка способствует формированию однокомпонентной текстуры [100] в пленках, имеющих исходно смешанную текстуру [100] + [001]. Показано, что чем меньше толщина пленки и чем выше смещение на ней, тем меньшее время обработки требуется для образования текстуры [100]. Обработка пленок толщиной 12 и 22 nm при смещении 30 V приводит к увеличению межплоскостных расстояний в направлении нормали к поверхности на 3% и уменьшению удельного сопротивления пленки на 14–20%.

Ключевые слова: тонкие пленки, титан, ионная бомбардировка, плазма, текстура, удельное сопротивление, рентгеновская дифракция.

Поступила в редакцию: 30.05.2023
Исправленный вариант: 27.07.2023
Принята в печать: 28.07.2023

DOI: 10.61011/JTF.2023.10.56290.139-23

Реферативные базы данных:

•