Твердотельная электроника

Получение градиентных слоев в четырехкомпонентной системе Al–Ga–As–Sn методом жидкофазной эпитаксии

Н. С. Потапович, В. П. Хвостиков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено моделирование кристаллизации толстых (более 50 $\mu$m) градиентных Al$_x$Ga$_{1-x}$As слоев в системе Al–Ga–As–Sn. Методом жидкофазной эпитаксии получены Al$_x$Ga$_{1-x}$As слои, легированные оловом, толщиной до 85 $\mu$m. Полученные экспериментальные профили градиента состава Al$_x$Ga$_{1-x}$As соответствуют используемой теоретической модели для случаев роста из ограниченного объема раствора–расплава.

Ключевые слова: жидкофазная эпитаксия, AlGaAs, фазовые равновесия, фотоэлектрические преобразователи, градиентные слои.

Поступила в редакцию: 05.07.2023
Исправленный вариант: 23.08.2023
Принята в печать: 25.08.2023

DOI: 10.61011/JTF.2023.10.56286.168-23

Реферативные базы данных:

•