Физика низкоразмерных структур

Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур

Д. В. Юрасов^a, М. В. Шалеев^a, Д. В. Шенгуров^a, А. В. Перетокин^a, Е. В. Скороходов^a, Е. Е. Родякина^bc, Ж. В. Смагина^c, А. В. Новиков<sup>a

a</sup> Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
^c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты по отработке технологии глубокого анизотропного плазмохимического травления полупроводниковых GeSi структур с использованием инверсной электронной литографии с комбинированным нанесением металлической маски и электронного резиста. Осуществлена оптимизация различных этапов технологического процесса для формирования металлической маски и последующего переноса рисунка на реальную структуру в образце с учетом эффекта близости при литографии и изменения реальных размеров отверстий в процессе плазмохимического травления. Проведено сравнение результатов, полученных данным методом, с таковыми при использовании в качестве маски специализированного плазмостойкого электронного резиста. Продемонстрированы возможности данного подхода для формирования двумерных фотонных кристаллов на полупроводниковой GeSi гетероструктуре с толщиной 1 $\mu$m и более. Показано, что сформированные фотонные кристаллы позволяют увеличить интенсивность сигнала фотолюминесценции более чем на порядок величины по сравнению с исходной структурой.

Ключевые слова: SiGe гетероструктуры, электронная литография, металлическая маска, плазмохимическое травление, фотонные кристаллы, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 12.07.2024
Исправленный вариант: 28.10.2024
Принята в печать: 14.11.2024

DOI: 10.61011/JTF.2025.01.59470.229-24

Реферативные базы данных:

•