Твердотельная электроника

Динамическое излучение и поглощение THz-сигналов массивом двуслойных нанопроволок

С. Г. Чигарев^a, Е. А. Вилков^a, О. А. Бышевский-Конопко^a, Д. Л. Загорский^b, И. М. Долуденко^b, А. И. Панас<sup>c

a</sup> Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия
^b Институт кристаллографии им А.В.Шубникова Курчатовского комплекса "Кристаллография и фотоника" НИЦ "Курчатовский институт", 119333 Москва, Россия
^c Государственное научно-производственное предприятие "Исток", 141190 Фрязино, Московская обл., Россия

Аннотация: Рассмотрены источники THz-излучения, построенные на принципах спинтроники, использующие гетероструктуры, образованные массивами двуслойных нанопроволок Fe/Ni и Ni/Co, выращенных в полимерных матрицах (трековых мембранах). В диапазоне частот 12–30 THz проведен сравнительный анализ их реакции на ток, протекающий по ним, и отдельно на внешнее THz-излучение. Установлено соответствие частотных диапазонов спин-инжекционного (динамического) THz-излучения, возбуждаемого током, инжектирующего спины в слоях гетероструктур, и области интенсивного поглощения электромагнитных колебаний внешнего источника. Это говорит о возможности использования структур с массивом нанопроволок для регистрации THz-сигналов.

Ключевые слова: спиновая инжекция током, внешнее THz-излучение, спиновая неуравновешенность, динамическое THz-излучение, поглощение THz-излучения.

Поступила в редакцию: 16.05.2024
Исправленный вариант: 17.10.2024
Принята в печать: 30.10.2024

DOI: 10.61011/JTF.2025.01.59469.180-24

Реферативные базы данных:

•