Аннотация:
Аналитически исследовано влияние усилителей поля – заостренных выступов на катоде – на условия перехода эмитируемых с них электронов в режим убегания в газе высокого давления. Показано, что классическая прямо пропорциональная зависимость критического поля убегания от давления сменяется на более слабую корневую зависимость при наличии выступов достаточной высоты. Сформулирован простой критерий убегания электронов, учитывающий искажение поля вблизи усилителей. Определена минимальная высота выступов, необходимая для заметного снижения порога убегания, в зависимости от давления газа.