XXVII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' Н. Новгород, 13-16 марта, 2023 г.
Радиофизика

Активный сверхпроводящий терагерцовый детектор

С. В. Шитов<sup>ab

a</sup> Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, 125009 Москва, Россия
^b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", 119049 Москва, Россия

Аннотация: Концепция активного сверхпроводящего терагерцового детектора для матричных применений основана на объединении в составе интегральной микросхемы двух устройств: RFTES (Radio Frequency Transition Edge Sensor) болометра и СВЧ предусилителя на основе сквида постоянного тока. Рассмотрены общие проблемы сверхнизкотемпературных детекторов, связанные с выбором усилителя, ограничивающие практическую чувствительность и функциональность таких детекторов. Предложен и обоснован способ подключения сквид-усилителя к RFTES болометру с использованием принципа парциальных нагрузок резонатора. Представлена электромагнитная модель практической структуры активного детектора, пригодная для RFTES, MKID (Microwave Kinetic Inductance Detector) и других детекторов, использующих высокодобротные сверхпроводящие резонаторы, что обеспечивает максимальную, теоретически возможную, передачу сигнала от сенсора к усилителю.

Ключевые слова: RFTES, DC SQUID, малошумящий усилитель, параметрический усилитель, планарный резонатор, высокодобротный резонатор, частичная нагрузка резонатора, электромагнитное моделирование.

Поступила в редакцию: 12.05.2023
Исправленный вариант: 12.05.2023
Принята в печать: 12.05.2023

DOI: 10.21883/JTF.2023.07.55758.116-23

Реферативные базы данных:

•