XXVII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' Н. Новгород, 13-16 марта, 2023 г.
Фотоника

Внеосевой асферический коллектор для экстремальной ультрафиолетовой литографии и мягкой рентгеновской микроскопии

И. В. Малышев, М. С. Михайленко, А. Е. Пестов, М. Н. Торопов, А. К. Чернышев, Н. И. Чхало

Институт физики микроструктур РАН, 603087 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Методом ионно-пучковой коррекции формы малоразмерным ионным пучком сформирован неосесимметричный асферический профиль поверхности коллектора для источника экстремального ультрафиолетового излучения TEUS-S100 с числовой апертурой NA = 0.25, размахом высот по поверхности – 36.3 $\mu$m, точностью формы по среднеквадратическому отклонению – 0.074 $\mu$m, что позволило получить пятно фокусировки шириной на полувысоте 300 $\mu$m. Для решения задачи произведена модернизация технологического источника ионов КЛАН-53М – заменена плоской ионно-оптической системы на фокусирующую. Ионно-оптическая система, состоящая из пары вогнутых сеток с радиусом кривизны 60 mm, обеспечила следующие параметры ионного пучка: ток ионов – 20 mA, ширина на полувысоте – 8.2 mm на расстоянии 66 mm от среза ионного источника.

Ключевые слова: экстремальное ультрафиолетовое излучение, ионно-пучковая коррекция, ионный источник, асферика.

Поступила в редакцию: 19.04.2023
Исправленный вариант: 19.04.2023
Принята в печать: 19.04.2023

DOI: 10.21883/JTF.2023.07.55754.99-23

Реферативные базы данных:

•